ニュース

全9986件中 591〜600件目を表示

名大,GaNチップの欠陥密度を1/30に低減

名古屋大学の研究グループは,GaNパワーデバイスの大電力化に際して障害となっていたキラー欠陥密度を従来の30分の1に低減し,大電力(100A)チップの歩留まりを大幅に向上した(ニュースリリース(4P目))。 GaNパワー […]