第110回研究会・特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」

第110回研究会・特別公開シンポジウム「紫外発光デバイスの最前線と将来展望」

会期: 2018年 9月27日(木),28日(金)
会場: 東大生研コンベンションホール(目黒区,東京)
主催: 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会

9月27日

【チュートリアル講演】

▼ 深紫外LEDの課題、進展と将来展望 平山秀樹(理研)

▼AlNテンプレート高品質化の進展 三宅秀人(三重大)

▼AlN,AlGaN薄膜および量子井戸の発光特性 秩父重英(東北大)

▼波長変換による全固体紫外レーザー光源の進展とその応用 森勇介(阪大)

【ポスター発表会・意見交換会】

 

9月28日

【レビュー講演】

▼AlGaNドーピング技術と紫外レーザの進展 岩谷素顕(名城大)

▼深紫外LEDのためのHVPEバルクAlN基板の進展 永島徹(トクヤマ)

▼直接接合を用いた深紫外線LEDの光取り出しの改善 市川将嗣(日亜化学工業)

▼UVA-UVC LEDの進展と応用展開(仮題) 村本宜彦(ナイトライドセミコンダクター)

▼バルクAlN基板上深紫外LEDの進展と応用展開 久世直洋(旭化成)

▼Current Status and Future Works of High Power Deep-UV LEDs Oh Jeong-Tak(LG Innotek)

【パネル討論】

 

参加費: 参加費:一般:18,000円,学生:無料(意見交換会:3,000円)
お問合せ先: 日本学術振興会
TEL: 03-3263-1728
FAX: 03-3263-1716
E-mail: jigyouka13@jsps.go.jp
URL: http://jsps162.jpn.org/specialsymposium_2018.html