富士通と米Nantero,CNT不揮発性メモリ「NRAM」を共同開発

富士通セミコンダクターおよび三重富士通セミコンダクターは,米Nantero, Inc.のカーボンナノチューブ(CNT)を利用した不揮発性メモリ「NRAM」のライセンスを受けるとともに,55nmテクノロジーでの商品化に向けて3社で共同開発することに合意した(ニュースリリース)。

3社は,組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性/書き換えスピードの実現と,将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し,不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めていく。

富士通セミコンダクターは,2018年末までにNRAM混載カスタムLSIを商品化し,その後,単体NRAM製品にラインナップを広げていく。また,ウェハーファウンドリ会社(製造受託会社)である三重富士通セミコンダクターは,ファウンドリ顧客向けにNRAMベースのテクノロジーを提供する予定。