PETRAらの光変調器技術,IEDMに採択


新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)プロジェクトにおいて東京大学および光電子融合基盤技術研究所(PETRA),東京工業大学他による研究開発成果2件が,半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)に採択された(ニュースリリース)。12月3日から米国サンフランシスコで開催されているIEDM2016で成果を発表する。

採択されたのは,東京大学およびPETRAによるNEDOプロジェクト「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」において実証中の,ウエハーボンディング技術によるInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造を用いた光変調器。

もう一件は,東京工業大学などによるNEDOプロジェクト「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」において実証中の,微細化によるシリコンパワートランジスタの性能向上。

「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」プロジェクトによる発表成果は,Si基板上にウェハーボンディング技術を用いてInGaAsP層を貼り合せることで形成したInGaAsP/SiハイブリッドMOS構造の光変調器を世界で初めて実証したもの。これにより,シリコンフォトニクスによる高効率光変調器の実現とデータ伝送の省電力化への貢献が期待されるとしている。

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