半導体前工程ファブの装置投資,4年連続成長へ

SEMIは最新のレポートに基づき,半導体前工程ファブの装置投資額が2019年に5%増加し,異例の4年連続成長となることを明らかにした(ニュースリリース)。2018年および2019年の成長は,中国がけん引することが予測されているが,ファブ装置投資の3年連続成長は1990年代中期以降ではじめて。

SEMIの予測では,Samsungの2018年および2019年のファブ装置投資額は2017年から減額されるものの,両年にわたり首位に立つ。これに対し,中国のファブ装置投資額は,外資系企業および中国系企業が進めるファブ計画により,2018年には前年比57%増,2019年には60%増と,飛躍的に増加するという。この投資額の急増により,中国は2019年に韓国を抜いて投資額が世界最大の地域になるとしている。

過去最高となった2017年の設備投資の後,韓国のファブ装置投資額は2018年に9%減の180億ドル,2019年に14%減の160億ドルとなるとする。しかし,いずれの年も,2017年以前の韓国の投資水準を超えている。ファブ装置投資で世界第3位の地域である台湾の投資額は,2018年に10%減の約100億ドルとなるが,2019年に15%増と反発し,110億ドルを超えるという。

中国のファブ装置投資の増加は,建設が進められていた新規ファブが装置導入段階に入ることから予想されていた。中国では2017年に記録的な26棟の量産ファブ建設が着工しており,その装置導入が今年から来年にかけて行なわれる。

中国のファブ装置投資額の大半は外資系企業が占めている。しかし,中国系企業の投資額の全体に占める割合が,2017年の33%から2019年は45%へと上昇すると予測している。

また,製品分野別にみると,3D NANDが投資をリードし,2018年は3%増の160億ドル,2019年も同じく3%増の170億ドルに達するという。DRAMは,2018年は26%増と力強い成長を見せ140億ドルに達するが,2019年は14%減の120億ドルになると予測。ファウンダリは,7nmプロセス対応および生産能力拡大に向けて,2018年は2%増の170億ドル,2019年は26%増の220億ドルを投資するという。

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