ラムリサーチ,EUV露光向けの技術を発表

米ラムリサーチは極端紫外線(EUV)リソグラフィのパターニング向けにドライレジストテクノロジーを発表した(ニュースリリース)。

同社は業界をリードする成膜とエッチ工程との組み合わせのほか,オランダASMLやベルギーimecとの戦略的パートナーシップによって,EUVリソグラフィの分解能,生産性と歩留まりの向上に役立つ,新たなドライレジストテクノロジーを開発している。同社のドライレジストソリューション群は,EUVの感度と分解能の大幅な利点を提供することで,個々のEUVウエハー処理の全体的なコスト削減に資するものだとする。

EUVリソグラフィシステムが最先端のチップ量産各社に採用されていることから,生産性と分解能のさらなる向上は,今後のプロセスノードへの経済的なスケーリングの拡張に必要となる。同社の新しいドライレジストアプリケーションと数々の開発技術によって,より少ないドーズ量と分解能の微細化が可能になり,生産性の向上や露出の最適範囲の拡張が可能だという。

同社のドライレジストテクノロジーは原材料を1/5から1/10まで削減できるとしており,顧客各社においてランニングコストを大幅に削減すると同時に,環境社会ガバナンス(ESG)の面でも,より高度な持続性のソリューションを提供するものだという。

同社は,このドライレジストテクノロジーを使用するEUVリソグラフィの主な課題を解決するために,複数のチップメーカー各社と協働してきた。今回の新しいドライレジストテクノロジーは最先端のロジックとメモリデバイス向けに,切れ目のないスケーリングを実現するとしている。

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