単色波長可変THz波光源で明らかにする半導体キャリア特性

1. はじめに

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キャリア密度をはじめとした半導体のキャリア特性はデバイスの機能を左右する重要な要因である。これらの情報を非常に高精度に調べる手法としてホール効果を用いて調べるホール測定1, 2)が確立しているが,破壊測定であることや空間分解能が端子間隔の制限を受けるといった点で不便に感じる場面もある。特に半導体基板の開発の過程において求められる迅速なフィードバックには向かない。赤外分光3〜5)やラマン散乱分光6, 7)など光学的に調べることで非破壊,非接触で測定できる方法はあるが測定のダイナミックレンジや精度ではホール測定に一日の長がある。また,いずれの手法にしても迅速な測定によるスループットの向上は常に求められている。

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