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東工大,スピンホール磁気抵抗効果で1.1%

東京工業大学の研究グループは,トポロジカル絶縁体・強磁性半導体接合を用いて,巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証した(ニュースリリース)。 MRAMの中でも,スピンホール効果による純スピン流を磁性層に注入し,スピ […]